Micron demonstra DRAM revolucionária com largura de banda de 128 GB/s

autor: subzero

Em fevereiro, a Micron surpreendeu o mundo ao anunciar o desenvolvimento de um protótipo de memória equipada com tecnologia HMC (Hybrid Memory Cube) capaz de aumentar em até 20 vezes o desempenho dos módulos DRAM.
Eis que agora a companhia fez a primeira demonstração do potencial e poder da memória, onde um módulo HMC conseguiu atingir a impressionante largura de banda de dados de 128GB/s. Para se ter idéia do quão eficiente é esse patamar, uma DDR3-1600 é capaz de atingir apenas 12,8GB/s, ou seja, 10% do que fornece a Hybrid Memory Cube.
Além da velocidade, as DRAMs HMC consomem apenas um décimo de energia, ocupando 10% do espaço de uma DDR3 tradicional.